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  • 無線通訊射頻晶片模組設計, 射頻晶片篇
  • 點閱:1703
  • 作者: 張盛富, 張嘉展編著
  • 出版社:全華圖書
  • 出版年:2008[民97]
  • ISBN:978-957-21-5989-7 ; 957-21-5989-5
  • 格式:PDF
  • 版次:初版
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本書內容包含微波半導體元件與模型、射頻放大器、功率放大器與線性化技術、振盪器及混頻器。且特別注重文獻參考資料,以彰顯射頻知識的傳承。另外為增加思考廣度,列舉了不同的電路分析方法。本書適用於大學、科大電子系「射頻系統導論」之相關課程。

 

1. 針對無線通訊產品中之射頻晶片(含混成晶片、CMOS、PHEMT晶片)作詳盡之介紹。

2. 列舉各種設計理論和分析方法,以增加思考廣度。

3. 重視文獻回顧,以彰顯射頻知識的沿革。

4. 提供模擬和實作例題,以便使讀者更加了解射頻晶片。

  • 第7章 微波半導體元件與模型(第1頁)
    • 7.1 半導體物理概述(第2頁)
    • 7.2 二極體元件(第17頁)
    • 7.3 雙極性電晶體(Bipolar Junction Transistor , BJT)(第26頁)
    • 7.4 異質接面雙極性電晶體(Hetrojunction Bipolar Transistor, HBT)(第32頁)
    • 7.5 接面場效電晶體(Junction Field Effect Transistor, JFET)(第35頁)
    • 7.6 金氧半場效電晶體(Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor , MOSFET)(第37頁)
    • 7.7 金半場效電晶體(Metal-Semiconductor Field Effect Transistor , MESFET)(第42頁)
    • 7.8 高速電子移動電晶體(High Electron Mobility Transistor , HEMT)(第43頁)
    • 7.9 半導體參數測試及元件特性分析(第47頁)
    • 7.10 微波元件特性及模型(第49頁)
  • 第8章 射頻放大器(第65頁)
    • 8.1 混成射頻放大器與單晶射頻放大器(第66頁)
    • 8.2 輸出與輸入功率的比值-增益(第69頁)
    • 8.3 訊號波流理論(Signal Flow Theory)(第73頁)
    • 8.4 穩定度分析(第83頁)
    • 8.5 消除不穩定的方法(第91頁)
    • 8.6 直流偏壓電路(第103頁)
    • 8.7 單向增益匹配(第108頁)
    • 8.8 雙向增益匹配(第111頁)
    • 8.9 功率匹配(第115頁)
    • 8.10 雜訊匹配(第119頁)
    • 8.11 設計實例(第125頁)
  • 第9章 功率放大器與線性化技術(第147頁)
    • 9.1 功率放大器特性之概述(第148頁)
    • 9.2 功率放大器之類別(第150頁)
    • 9.3 克里普斯(Cripps)負載線法(第166頁)
    • 9.4 負載拉挽方法(Load-Pulling Method)(第175頁)
    • 9.5 回饋線性化技術(第177頁)
    • 9.6 前饋線性化(Feedforward Linearization)技術(第184頁)
    • 9.7 前置失真技術(Pre-Distortion)(第186頁)
    • 9.8 封包消弭與回復技術(Envelope Elimination and Restoration)(第188頁)
    • 9.9 功率放大器設計實例(第189頁)
  • 第10章 振盪器(第199頁)
    • 10.1 簡介(第200頁)
    • 10.2 形成振盪的必要條件-小訊號負電阻分析法(第202頁)
    • 10.3 形成振盪的必要條件-小訊號迴授分析法(第206頁)
    • 10.4 形成振盪的必要條件-小訊號S 參數分析法[4](第211頁)
    • 10.5 形成振盪的充份且必要條件-根軌跡法(第215頁)
    • 10.6 形成振盪的充份且必要條件-阻抗軌跡法(第219頁)
    • 10.7 穩定振盪功率-大訊號Y參數分析法(第226頁)
    • 10.8 穩定振盪功率-大訊號S參數分析法(第230頁)
    • 10.9 負載拉挽效應[11](第233頁)
    • 10.10 注入鎖定效應[7](第236頁)
    • 10.11 評估振盪器效能之各項參數(第238頁)
    • 10.12 設計實例(第241頁)
  • 第11章 混頻器(第259頁)
    • 11.1 混頻器之發展與效能參數(第260頁)
    • 11.2 單端二極體混頻器(第264頁)
    • 11.3 單平衡二極體混頻器(第275頁)
    • 11.4 雙平衡二極體混頻器(第294頁)
    • 11.5 單閘極MESFET混頻器(第302頁)
    • 11.6 雙閘極MESFET混頻器(第306頁)
    • 11.7 平衡型MESFET混頻器(第308頁)
    • 11.8 電阻型MESFET混頻器(第312頁)
    • 11.9 單端MOSFET混頻器(第316頁)
    • 11.10 平衡型MOSFET混頻器(第318頁)
    • 11.11 電阻型MOSFET混頻器(第330頁)
    • 11.12 平衡型BJT混頻器(第332頁)
    • 11.13 次諧波驅動混頻器(第333頁)
    • 11.14 鏡像拒斥降頻器(第336頁)
    • 11.15 單邊帶升頻器(第339頁)
  • 附錄A 索引(第345頁)
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