吳永俊
於1996年取得國立中央大學物理系學士學位，1998年取得國立台灣大學物理系碩士學位，2005年取得國立交通大學博士學位。從1998到2002年曾在新竹國家奈米研究實驗室，擔任助理研究員，從事奈米元件技術與電子微影技術開發。2006年進入新竹國立清華大學工程與系統科學系，現任為副教授。研究領域包括奈米電子元件物理與工程、半導體元件設計與TCAD模擬、快閃記憶體與太陽能電池。2010年至2016年期間，發表了奈米電子元件與模擬TCAD相關 SCI期刊論文約40篇。
詹易叡
於2010年自國立東華大學物理學系取得學士學位，2012年自國立清華大學工程與系統科學系取得碩士學位，2015年於國立清華大學工程與系統科學系取得博士學位。畢業後於2016年加入台灣積體電路製造股份有限公司的研發部門。他的研究興趣與專長為奈米金氧半場效應電晶體、半導體元件設計與TCAD模擬技術、以及非揮發性記憶體。

• 第1章 半導體元件設計及模擬導論(第1頁)
  • 1.1 前言(第2頁)
  • 1.2 摩爾定律(Moore,s Law)與鰭式電晶體(FinFET)的介紹(第4頁)
  • 1.3 Synopsys Sentaurus TCAD軟體與工作環境(Copyright © Synopsys, Inc. All rights reserved.)(第9頁)
  • 1.4 Sentaurus Workbench用於TCAD工作任務項目管理和視窗化的環境(第14頁)
  • 1.5 Synopsys Sentaurus TCAD的操作介面(第14頁)
  • 1.6 模擬計畫的預覽(Project View)(第15頁)
  • 1.7 Sentaurus Visual視覺化軟體(第16頁)
  • 1.8 Structure Editor元件設計(第17頁)
  • 1.9 虛擬製程整合半導體元件的技術(第18頁)
  • 1.10 元件模擬工具(第19頁)
  • 1.11 校正與服務(Calibration and Services)(第19頁)
• 第2章 金氧半場效應電晶體之二維模擬與分析(第21頁)
  • 2.1 互補式金氧半場效應電晶體(CMOSFET)(第22頁)
  • 2.2 二維金氧半場效應電晶體(2D MOSFET)之模擬(第26頁)
  • 2.3 總結(第113頁)
• 第3章 三維鰭式場效電晶體(3D FinFET, Lg = 15 nm)模擬分析(第115頁)
  • 3.1 FinFET簡介(第116頁)
  • 3.2 臨界電壓(Vth)，漏電流(Ioff)，功率消耗(Power)之設計考量(第119頁)
  • 3.3 高介電材料(High-k Dielectric Materials)與金屬閘極(Metal Gate)設計考量(第122頁)
  • 3.4 元件閘極Gate設計考量(第124頁)
  • 3.5 TCAD設計導向說明(第127頁)
  • 3.6 FinFET3D模擬(第131頁)
• 第4章 反相器(Inverter)和靜態隨機存取記憶體(SRAM of3D FinFET, Lg = 15 nm)模擬分析(第197頁)
  • 4.1 COS inverter結構與特性(第198頁)
  • 4.2 COMS inverter反相器電壓轉換曲線(第199頁)
  • 4.3 反相器速度 傳遞延遲(Propagation Delay)與Ion的關係(第201頁)
  • 4.4 CMOS Id-Vg匹配圖(第202頁)
  • 4.5 靜態記憶體單元(SRAM)的TCAD模擬(第209頁)
  • 4.6 SRAM之操作(第210頁)
• 第5章 環繞式閘極奈米線電晶體(GAA NWFET)之模擬與分析(第227頁)
  • 5.1 環繞式閘極(Gate-all-around; GAA)電晶體的簡介(第228頁)
  • 5.2 環繞式閘極應用：3D堆疊GAA NWFET(第231頁)
  • 5.3 如何設計與模擬3D GAA NWFET(第234頁)
第6章 無接面場效電晶體Junctionless FET (JL-FET)(Lg = 10 nm , N10)(第249頁)
• 6.1 前言(第250頁)
• 6.2 CMOS元件之短通道效應(Short Channel Effect; SCE)(第250頁)
• 6.3 JL-FET操作機制(第252頁)
• 6.4 如何使用Synopsys Sentaurus TCAD 2014 version設計與模擬3D JL-FET(第255頁)
第7章 穿隧式場效應電晶體(Tunnel FET)(第267頁)
• 7.1 傳統場效應電晶體(Conventional FET)所遭遇之問題(第268頁)
• 7.2 穿隧式場效應電晶體(Tunnel FET; TFET)之操作機制(第269頁)
• 7.3 如何設計與模擬3D TFET(第275頁)
• 7.4 總結(第288頁)
第8章 Lg = 3 nm鰭式電晶體與超薄主動層電晶體之模擬(第291頁)
• 8.1 前言(第292頁)
• 8.2 Silicon 3 nm Gate Length Bulk FinFET(第294頁)
• 8.3 Germanium 3 nm Gate Length Bulk FinFET(第300頁)
• 8.4 Silicon and Germanium UTB (1 nm) JLFET with Ultra-Short Gate Length = 1 nm、3 nm(第305頁)
• 8.5 總結(第311頁)
附錄 Synopsys Sentaurus TCAD軟體安裝以及環境設定(第313頁)