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  • 新電子 [第406期]:高速運算添新憶
  • 點閱:42
  • 作者: 黃繼寬總編輯
  • 出版社:城邦文化
  • 出版年:2020.01
  • ISSN:1022-2928
  • 格式:PDF

本期內容簡介
 
高速運算添新「憶」
 
AI、5G、IoT和工業4.0等應用讓資訊量呈現爆炸式的成長,龐大的資料量不僅帶來更高容量的儲存需求;同時因應高速運算,記憶體還具備更快的資料讀取速度。面對更多、更快、更低功耗的資料存取要求,DRAM、SRAM和NAND Flash等傳統記憶體已逐漸遇到瓶頸,因此,新興記憶體如磁阻式隨機存取記憶體(MRAM)、鐵電隨機存取記憶體(FRAM)、電阻式隨機存取記憶體(RRAM)和相變隨機存取記憶體(PCRAM)等便相繼興起。 例如MRAM可以整合於物聯網晶片設計的後端互連層,進而實現更小的晶粒尺寸,並降低成本;而FRAM、RRAM、PCRAM等則能透過更高的效能與低延遲優化資料中心工作負載,實現更多雲端運算應用,為此,半導體產業紛紛開始加快新興記憶體布局。

雜誌簡介
 
新電子科技雜誌於1986年創刊,以台灣資訊電子上下游產業的訊息橋樑自居,提供國際與國內電子產業重點資訊,以利產業界人士掌握自有競爭力。雜誌內容徹底執行各專欄內容品質,透過讀者回函瞭解讀者意見,調整方向以專業豐富的內容建立特色;定期舉辦研討會、座談會、透過產業廠商的參與度,樹立專業形象;透過網際網路豐富資訊的提供,資訊擴及華人世界。更多資訊請參考:http://www.mem.com.tw

  • 編者的話(第15頁)
  • 封面故事(第17頁)
    • 兼具高容量/可微縮優勢 新興記憶體崛起銳不可擋(第18頁)
    • 卡位MRAM/FRAM/PCRAM 半導體業者布局各有盤算(第24頁)
    • 垂直式磁化材料優點多 磁性記憶體儲存/性能增(第29頁)
    • 添加DDR5功能 SDRAM效能/部署能力大增(第36頁)
  • 技術解密(第41頁)
    • 技術紮馬步 巧扮連通橋梁 AIB實現晶片/小晶片高速互連(第42頁)
    • ATE設備需求不斷演進 電源功率/雜訊/重量要求更嚴(第50頁)
    • 新材質加持 電子產品散熱管理更高效(第55頁)
    • 結合GTC安全方案 聯網汽車TCU/ECU防護增(第57頁)
    • 緩解資料移動/存取瓶頸 HBM大幅加速AI應用(第59頁)
    • 狀態監控/主機鎖定並行 汽車/工業儲存狀態一清二楚(第65頁)
    • 推動5G部署 多樣射頻半導體技術展妙用(第68頁)
    • 有效降低氮化鉭層電阻 鈷助力先進製程效能提升(第72頁)
  • 專欄 翻轉吧!科技人 是時候了!改變科技快轉人生(第76頁)
  • 市場透視(第79頁)
    • 特別企劃 PCIe/USB一搭一唱 介面高速化腳步不停歇(第79頁)
    • 物聯網安全高峰論壇特別報導(第84頁)
    • 2019賽靈思開發者大會北京特別報導 三大戰略循序漸進 賽靈思力建自適應運算新時代(第94頁)
    • 高效能電源轉換設計與技術論壇特別報導(第99頁)
    • 就事論「勢」 購併Barefoot 英特爾攻雲端市場更有底氣(第118頁)
  • 智造現場(第107頁)
    • 數位轉型切忌盲目跟風 組織再造/科技導入要同步(第108頁)
    • 預防勝於治療 狀態監測確保設備健康(第113頁)
  • 菁英開講(第122頁)
    • 專訪Arm資深副總裁Dipti Vachani 多變/靈活策略加快物聯網普及(第122頁)
    • 專訪英特爾資料中心事業群副總裁Lisa Spelman 用完善生態系優化資料中心負載(第124頁)
    • 專訪OnRobot執行長Enrico Krog Iversen 共通前端平台加速手臂應用部署(第126頁)
    • 專訪旺宏電子董事長兼執行長吳敏求 深耕利基應用擴展Flash市場(第127頁)
  • 新聞直擊(第128頁)
  • 新品上市(第131頁)
  • 產業特搜(第137頁)
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